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厚度切变和弯曲振动模式与石英晶体元件频率动态关系

来源:日期:2018年05月17日 浏览:1852 关键词:频率晶体石英
厚度切变和厚度弯曲振动模式的相对振幅与石英晶体元件的频率和动态电感的乘积关系。我们规定按石英晶体的B因素定义为石英晶体元件的频率fnMHz和动态电感L1mH的乘积

厚度切变和厚度弯曲振动模式的相对振幅与石英晶体元件的频率和动态电感的乘积关系。

我们规定按石英晶体的B因素定义为石英晶体元件的频率fnMHz和动态电感L1mH的乘积,频率单位为MHz,动态电感单位为mH,则:

B=fnMHz×L1mH;  (式一)


根据实验得到最强模式抑制与B因素的近似关系如下:

Ndb=-0.213B+6,单位db,(B≤200时);(式二)


若我们需要较大地抑制非谐模式频率,则设计石英晶体元件的B因素为200或大于200时,不能使非谐模式频率得到显著的改善。


式二中的Ndb是客户要求石英晶体元件寄生抑制允许的最大值,单位为db。

由此可知:

1、根据客户对寄生响应的要求,即寄生抑制的最大值Ndb,由式二计算出B因素;

2、根据式一求动态电感值;L1mH=B/fnMHz;

3、根据C1=(2πf)2·L1mH分之一求出动态电容值;

4、选择电极尺寸、返回系数△,使动态电容值C1满足要求,从而达到控制寄生响应的目的。



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